Справочник IGBT. JT050N120F2MA1E

 

JT050N120F2MA1E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT050N120F2MA1E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

JT050N120F2MA1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1007K  jilin sino
 jt050n120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT050N120F2MA1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT050N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50 A 1200 V V CESVcesat_typ1.80V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Technology FS

 5.1. Size:1652K  jilin sino
 jt050n120gped.pdf pdf_icon

JT050N120F2MA1E

N N-CHANNEL IGBT RJT050N120GPED MAIN CHARACTERISTICS Package TO-247plus IC 50A VCE 1200V Vcesat-typ 2.0V APPLICATIONS TO-247plus General purpose Inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS

 8.1. Size:723K  jilin sino
 jt050n065wed.pdf pdf_icon

JT050N120F2MA1E

N N-CHANNEL IGBT R JT050N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor control FEATURES Low gate charge Trench FS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: BLG75T65FUK-F | APTGT100A120D1 | 2MBI150VA-120-50 | IKB40N65EH5 | XD040Q120AT1S3 | 2MBI150PC-140 | SKM500GA123D

 

 
Back to Top

 


 
.