JT05N065SAD Todos los transistores

 

JT05N065SAD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JT05N065SAD

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 96 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 32.7 pF

Encapsulados: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de JT05N065SAD IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JT05N065SAD datasheet

 ..1. Size:1562K  jilin sino
 jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf pdf_icon

JT05N065SAD

N N-CHANNEL IGBT R JT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech

 5.1. Size:2071K  jilin sino
 jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf pdf_icon

JT05N065SAD

N N-CHANNEL IGBT R JT05N065RED/SED/FED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 6 A VCE 650V Vcesat Vge=15V 1.6V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology

Otros transistores... JT040K065WED , JT040K065AED , JT050K120F2MA1E , JT050N065WED , JT050N120F2MA1E , JT050N120GPED , JT05N065RAD , JT05N065VAD , CRG15T120BNR3S , JT05N065RED , JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED .

History: JT075N120F2MA1E | F3L300R12MT4_B22 | NCE40TD60BT | SGR6N60UF | GT30J322 | SKM50GAL12T4 | ISL9V3036S3S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.