Справочник IGBT. JT05N065SAD

 

JT05N065SAD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT05N065SAD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 32.7 pF
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

JT05N065SAD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1562K  jilin sino
 jt05n065rad jt05n065vad jt05n065sad.pdf pdf_icon

JT05N065SAD

N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RAD/VAD/SAD MAIN CHARACTERISTICS Package IC 5 A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters PDP PDP UPS UPS FEATURES Low gate charge FS FS Tech

 5.1. Size:2071K  jilin sino
 jt05n065red jt05n065ved jt05n065sed jt05n065fed jt05n065ced.pdf pdf_icon

JT05N065SAD

N N-CHANNEL IGBT RJT05N065RED/SED/FED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 6 A VCE 650V VcesatVge=15V 1.6V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology

Другие IGBT... JT040K065WED , JT040K065AED , JT050K120F2MA1E , JT050N065WED , JT050N120F2MA1E , JT050N120GPED , JT05N065RAD , JT05N065VAD , JT075N065WED , JT05N065RED , JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED .

History: APTGF90X60E3 | SII150N12 | SG25S12DT | IRG4BC30F | OM6526SA | 1MBI75L-060 | IXSN35N120AU1

 

 
Back to Top

 


 
.