JT075N065GHED Todos los transistores

 

JT075N065GHED IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JT075N065GHED

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 520 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 430 pF

Encapsulados: TO-247-4L

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JT075N065GHED datasheet

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JT075N065GHED

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JT075N065GHED

N N-CHANNEL IGBT R JT075N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.75V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 8.1. Size:1447K  jilin sino
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JT075N065GHED

N N-CHANNEL IGBT R JT075N120GPED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 1200V Vcesat-typ 1.9V APPLICATIONS General purpose Inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS product Ro

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JT075N065GHED

IGBT IGBT Modules R IGBT JT075N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.9V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techno

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History: IXXH50N60B3 | SKM195GAR063DN | NCE40TD120VT | ISL9V3036D3S | BG150B12UY3-I | STGB5H60DF

 

 

 

 

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