JT075N065GHED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT075N065GHED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 430 pF
Тип корпуса: TO-247-4L
Аналог (замена) для JT075N065GHED
JT075N065GHED Datasheet (PDF)
jt075n065ghed.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT075N065GHED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS
jt075n065wed.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT075N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.75V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,
jt075n120gped.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT075N120GPED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 1200V Vcesat-typ 1.9V APPLICATIONS General purpose Inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS product Ro
jt075n120f2ma1e.pdf
IGBT IGBT Modules RIGBT JT075N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75 A 1200 V V CESVcesat_typ1.9V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techno
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2