JT100K120F2MA1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT100K120F2MA1E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 517
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.9
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 70
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 700
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 450
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de JT100K120F2MA1E - IGBT
JT100K120F2MA1E Datasheet (PDF)
jt100k120f2ma1e.pdf
IGBT IGBT Modules RIGBT JT100K120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 100 A 1200 V V CESVcesat_typ1.9V Vge=15V APPLICATIONS UPS UPS System Welding FEATURES FS Technology FS Low saturation voltage:
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Liste
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