JT100K120F2MA1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT100K120F2MA1E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 517 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 700 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 450 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
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JT100K120F2MA1E Datasheet (PDF)
0.1. Size:911K jilin sino
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IGBT IGBT Modules RIGBT JT100K120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 100 A 1200 V V CESVcesat_typ1.9V Vge=15V APPLICATIONS UPS UPS System Welding FEATURES FS Technology FS Low saturation voltage:
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Liste
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