JT100K120F2MA1E Todos los transistores

 

JT100K120F2MA1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT100K120F2MA1E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 517 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 700 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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JT100K120F2MA1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:911K  jilin sino
 jt100k120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT100K120F2MA1E

IGBT IGBT Modules RIGBT JT100K120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 100 A 1200 V V CESVcesat_typ1.9V Vge=15V APPLICATIONS UPS UPS System Welding FEATURES FS Technology FS Low saturation voltage:

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History: IXBT16N170AHV | MMG50S170B | FGW15N120HD | IXGX100N170 | SKM400GAL062D | 2MBI150U4A-120 | IRG4IBC20UD

 

 
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