Справочник IGBT. JT100K120F2MA1E

 

JT100K120F2MA1E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT100K120F2MA1E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 517 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 700 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для JT100K120F2MA1E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT100K120F2MA1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:911K  jilin sino
 jt100k120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT100K120F2MA1E

IGBT IGBT Modules RIGBT JT100K120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 100 A 1200 V V CESVcesat_typ1.9V Vge=15V APPLICATIONS UPS UPS System Welding FEATURES FS Technology FS Low saturation voltage:

Другие IGBT... JT05N065RED , JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , IKW50N60H3 , JT150N120F2MA1E , JT450N120F2MH1E , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA .

History: FGH30S150P

 

 
Back to Top

 


 
.