JT100K120F2MA1E - аналоги и описание IGBT

 

JT100K120F2MA1E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JT100K120F2MA1E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 517 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 700 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для JT100K120F2MA1E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT100K120F2MA1E даташит

 0.1. Size:911K  jilin sino
 jt100k120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT100K120F2MA1E

IGBT IGBT Modules R IGBT JT100K120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 100 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.9V Vge=15V APPLICATIONS UPS UPS System Welding FEATURES FS Technology FS Low saturation voltage

Другие IGBT... JT05N065RED , JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , SGT60U65FD1PT , JT150N120F2MA1E , JT450N120F2MH1E , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.