JT150N120F2MA1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT150N120F2MA1E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 750
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 257
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 800
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 650
Paquete / Cubierta: MODULE
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JT150N120F2MA1E Datasheet (PDF)
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IGBT IGBT Modules RIGBT JT150N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 150 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techn
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Liste
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