JT150N120F2MA1E Todos los transistores

 

JT150N120F2MA1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT150N120F2MA1E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 257 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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JT150N120F2MA1E Datasheet (PDF)

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JT150N120F2MA1E

IGBT IGBT Modules RIGBT JT150N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 150 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techn

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