JT150N120F2MA1E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT150N120F2MA1E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 257 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 800 pF
Encapsulados: MODULE
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JT150N120F2MA1E datasheet
jt150n120f2ma1e.pdf
IGBT IGBT Modules R IGBT JT150N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 150 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techn
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History: STGB35N35LZ
History: STGB35N35LZ
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