JT150N120F2MA1E - аналоги и описание IGBT

 

JT150N120F2MA1E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JT150N120F2MA1E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 257 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для JT150N120F2MA1E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT150N120F2MA1E даташит

 0.1. Size:916K  jilin sino
 jt150n120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT150N120F2MA1E

IGBT IGBT Modules R IGBT JT150N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 150 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techn

Другие IGBT... JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , JT100K120F2MA1E , IRG4PC50U , JT450N120F2MH1E , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.