Справочник IGBT. JT150N120F2MA1E

 

JT150N120F2MA1E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT150N120F2MA1E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 257 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 650 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для JT150N120F2MA1E

 

 

JT150N120F2MA1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:916K  jilin sino
 jt150n120f2ma1e.pdf

JT150N120F2MA1E JT150N120F2MA1E

IGBT IGBT Modules RIGBT JT150N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 150 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techn

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top