Справочник IGBT. JT150N120F2MA1E

 

JT150N120F2MA1E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT150N120F2MA1E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 257 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 800 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для JT150N120F2MA1E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT150N120F2MA1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:916K  jilin sino
 jt150n120f2ma1e.pdf pdf_icon

JT150N120F2MA1E

IGBT IGBT Modules RIGBT JT150N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 150 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techn

Другие IGBT... JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , JT100K120F2MA1E , SGP30N60 , JT450N120F2MH1E , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ .

 

 
Back to Top

 


 
.