JT450N120F2MH1E Todos los transistores

 

JT450N120F2MH1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT450N120F2MH1E
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 450 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.3 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 66 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2100 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 3100 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

JT450N120F2MH1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1210K  jilin sino
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JT450N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

 1.1. Size:1152K  jilin sino
 jt450n120f2mhte.pdf pdf_icon

JT450N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

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History: MMG75WD120XB6T4N | MMG400D120UA6TC

 

 
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