JT450N120F2MH1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT450N120F2MH1E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 450 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 66 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2100 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de JT450N120F2MH1E - IGBT
JT450N120F2MH1E Datasheet (PDF)
jt450n120f2mh1e.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
jt450n120f2mhte.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
Otros transistores... JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , JT100K120F2MA1E , JT150N120F2MA1E , IRGP4066D , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2