JT450N120F2MH1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT450N120F2MH1E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 450 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 66 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2100 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de JT450N120F2MH1E IGBT
JT450N120F2MH1E Datasheet (PDF)
jt450n120f2mh1e.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
jt450n120f2mhte.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
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History: IGU04N60T
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