JT450N120F2MH1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT450N120F2MH1E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 2250
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 450
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.3
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 66
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 2100
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 3100
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de JT450N120F2MH1E - IGBT
JT450N120F2MH1E Datasheet (PDF)
jt450n120f2mh1e.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
jt450n120f2mhte.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
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Liste
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