Справочник IGBT. JT450N120F2MH1E

 

JT450N120F2MH1E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT450N120F2MH1E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 450 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2100 pF
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для JT450N120F2MH1E

 

 

JT450N120F2MH1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1210K  jilin sino
 jt450n120f2mh1e.pdf

JT450N120F2MH1E JT450N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

 1.1. Size:1152K  jilin sino
 jt450n120f2mhte.pdf

JT450N120F2MH1E JT450N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top