Справочник IGBT. JT450N120F2MH1E

 

JT450N120F2MH1E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT450N120F2MH1E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 450 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2100 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для JT450N120F2MH1E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT450N120F2MH1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1210K  jilin sino
 jt450n120f2mh1e.pdf pdf_icon

JT450N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

 1.1. Size:1152K  jilin sino
 jt450n120f2mhte.pdf pdf_icon

JT450N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

Другие IGBT... JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , JT100K120F2MA1E , JT150N120F2MA1E , STGB10NB37LZ , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI .

 

 
Back to Top

 


 
.