Справочник IGBT. JT450N120F2MH1E

 

JT450N120F2MH1E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: JT450N120F2MH1E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 450 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.3 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2100 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3100 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

JT450N120F2MH1E Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1210K  jilin sino
 jt450n120f2mh1e.pdf pdf_icon

JT450N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

 1.1. Size:1152K  jilin sino
 jt450n120f2mhte.pdf pdf_icon

JT450N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT450N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 450 A 1200 V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: FD400R65KF1-K | IXGM40N60 | APTGT200DA170D3 | IXGE200N60B | IXA20PT1200LB | 1MBI400NA-120

 

 
Back to Top

 


 
.