JT600N120F2MH1E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JT600N120F2MH1E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3650 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 82 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3700 pF
Encapsulados: MODULE
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JT600N120F2MH1E datasheet
jt600n120f2mh1e.pdf
N N-CHANNEL IGBT R IGBT JT600N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.95V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
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