JT600N120F2MH1E Todos los transistores

 

JT600N120F2MH1E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JT600N120F2MH1E
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 3650
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 600
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.95
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.3
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 82
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 3700
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 4000
   Paquete / Cubierta: MODULE

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JT600N120F2MH1E Datasheet (PDF)

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N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CESVcesat_typ1.95V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

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JT600N120F2MH1E JT600N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CESVcesat_typ1.95V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

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JT600N120F2MH1E JT600N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N065F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 650 V V CESVcesat_typ1.55V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

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