JT600N120F2MH1E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT600N120F2MH1E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3650 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3700 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для JT600N120F2MH1E
JT600N120F2MH1E Datasheet (PDF)
jt600n120f2mh1e.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CESVcesat_typ1.95V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
jt600n120f2mhte.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CESVcesat_typ1.95V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
jt600n065f2mh1e.pdf
N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N065F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 650 V V CESVcesat_typ1.55V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2