JT600N120F2MH1E - аналоги и описание IGBT

 

JT600N120F2MH1E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JT600N120F2MH1E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3650 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 82 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3700 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для JT600N120F2MH1E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT600N120F2MH1E даташит

 0.1. Size:499K  jilin sino
 jt600n120f2mh1e.pdf pdf_icon

JT600N120F2MH1E

N N-CHANNEL IGBT R IGBT JT600N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.95V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES

 1.1. Size:1156K  jilin sino
 jt600n120f2mhte.pdf pdf_icon

JT600N120F2MH1E

 8.1. Size:1205K  jilin sino
 jt600n065f2mh1e.pdf pdf_icon

JT600N120F2MH1E

Другие IGBT... JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , JT075N120GPED , JT100K120F2MA1E , JT150N120F2MA1E , JT450N120F2MH1E , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , CRG75T60AK3HD , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , TT010N120EQ , TT015N060EQ , TT015N120EQ .

History: STGB3NB60SD | STGF30M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.