TT010N060EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT010N060EQ
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 82
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 25
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 10
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.8
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 12
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 40
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 16
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de TT010N060EQ - IGBT
TT010N060EQ Datasheet (PDF)
tt010n060eq.pdf
N N-CHANNEL IGBT R TT010N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS C FEATURES E Low gate charge Tren
tt010n120ei.pdf
N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EI MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS
tt010n120eq.pdf
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Liste
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