Справочник IGBT. TT010N060EQ

 

TT010N060EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TT010N060EQ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 40 pF
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TT010N060EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1017K  jilin sino
 tt010n060eq.pdf pdf_icon

TT010N060EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT010N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS C FEATURES E Low gate charge Tren

 8.1. Size:550K  jilin sino
 tt010n120ei.pdf pdf_icon

TT010N060EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EI MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.2. Size:1472K  jilin sino
 tt010n120eq.pdf pdf_icon

TT010N060EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: CM150RL-24NF | APT20GT60KR | AOK20B120D1 | IRGP4650DPBF | BM63364S-VC | 6MBI50VW-120-50 | MMG40S120B6UC

 

 
Back to Top

 


 
.