TT010N120EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT010N120EQ
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 176 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18.7 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de TT010N120EQ IGBT
TT010N120EQ Datasheet (PDF)
tt010n120eq.pdf
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tt010n120ei.pdf
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tt010n060eq.pdf
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History: 1MBI400N-120
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