TT010N120EQ Todos los transistores

 

TT010N120EQ IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TT010N120EQ

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 176 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18.7 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF

Encapsulados: TO-247

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TT010N120EQ datasheet

 ..1. Size:1472K  jilin sino
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TT010N120EQ

 4.1. Size:550K  jilin sino
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TT010N120EQ

 8.1. Size:1017K  jilin sino
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TT010N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT010N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS C FEATURES E Low gate charge Tren

Otros transistores... JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , IRG4PC50W , TT015N060EQ , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA .

History: SKM100GAX173D | SKM145GAX123D | SII75N12 | SGL40N150D | TGAN40S160FD | SRE40N065FSUDG | YGW50N120FP

 

 

 

 

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