Справочник IGBT. TT010N120EQ

 

TT010N120EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TT010N120EQ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 18.7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Тип корпуса: TO-247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TT010N120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1472K  jilin sino
 tt010n120eq.pdf pdf_icon

TT010N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 4.1. Size:550K  jilin sino
 tt010n120ei.pdf pdf_icon

TT010N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT010N120EI MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters TO-247 FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS

 8.1. Size:1017K  jilin sino
 tt010n060eq.pdf pdf_icon

TT010N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT010N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS C FEATURES E Low gate charge Tren

Другие IGBT... JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , GT30F132 , TT015N060EQ , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA .

History: F3L15R12W2H3_B27 | MMG50HD120XB6T4N | CM100DY-24A | MII400-12E4 | IXGT40N60C | DM2G200SH6A

 

 
Back to Top

 


 
.