TT010N120EQ - аналоги и описание IGBT

 

TT010N120EQ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TT010N120EQ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18.7 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TT010N120EQ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT010N120EQ даташит

 ..1. Size:1472K  jilin sino
 tt010n120eq.pdf pdf_icon

TT010N120EQ

 4.1. Size:550K  jilin sino
 tt010n120ei.pdf pdf_icon

TT010N120EQ

 8.1. Size:1017K  jilin sino
 tt010n060eq.pdf pdf_icon

TT010N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT010N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 10A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS C FEATURES E Low gate charge Tren

Другие IGBT... JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , IRG4PC50W , TT015N060EQ , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA .

History: SPT40N120T1BT8TL | NGTB30N65IHL2WG | TT025N120FQ | SPT25N135F1AT8TL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.