TT015N060EQ Todos los transistores

 

TT015N060EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT015N060EQ
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 36.7 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 26 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 64 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 24.8 nC
   Paquete / Cubierta: TO-220MF
     - Selección de transistores por parámetros

 

TT015N060EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  jilin sino
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TT015N060EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT015N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Tec

 8.1. Size:1932K  jilin sino
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TT015N060EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT015N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 15A IC 1200V VCES 1.60V VCESAT-TYP APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product

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History: MMG300K120U6HN | HGTP7N60C3D | APT50GP60B | IXGH28N60BD1 | IKQ100N60TA | IXGP48N60C3

 

 
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