Справочник IGBT. TT015N060EQ

 

TT015N060EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TT015N060EQ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 64 pF
   Тип корпуса: TO-220MF
 

 Аналог (замена) для TT015N060EQ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT015N060EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1060K  jilin sino
 tt015n060eq.pdf pdf_icon

TT015N060EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT015N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Tec

 8.1. Size:1932K  jilin sino
 tt015n120eq.pdf pdf_icon

TT015N060EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT015N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 15A IC 1200V VCES 1.60V VCESAT-TYP APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product

Другие IGBT... JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , TT010N120EQ , MGD623S , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA , TT030U065FQ .

 

 
Back to Top

 


 
.