TT015N120EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT015N120EQ
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 238
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 15
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 30
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 78
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 112
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de TT015N120EQ - IGBT
TT015N120EQ Datasheet (PDF)
tt015n120eq.pdf
N N-CHANNEL IGBT RTT015N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 15A IC 1200V VCES 1.60V VCESAT-TYP APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product
tt015n060eq.pdf
N N-CHANNEL IGBT R TT015N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Tec
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Liste
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