TT015N120EQ Todos los transistores

 

TT015N120EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT015N120EQ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 238 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 78 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

TT015N120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1932K  jilin sino
 tt015n120eq.pdf pdf_icon

TT015N120EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT015N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 15A IC 1200V VCES 1.60V VCESAT-TYP APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product

 8.1. Size:1060K  jilin sino
 tt015n060eq.pdf pdf_icon

TT015N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT015N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Tec

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History: SKM150GB12T4 | IRG4PC30FPBF | CM1200DC-34N | IXXK300N60B3 | FF200R12KT3 | DAZF100G120XCA | IRG7RC10FD

 

 
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