TT015N120EQ Todos los transistores

 

TT015N120EQ IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TT015N120EQ

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 238 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 78 pF

Encapsulados: TO-247

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TT015N120EQ datasheet

 ..1. Size:1932K  jilin sino
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TT015N120EQ

 8.1. Size:1060K  jilin sino
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TT015N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT015N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Tec

Otros transistores... JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , TT010N120EQ , TT015N060EQ , MGD623S , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA , TT030U065FQ , TT040K120EQ .

History: SIF30N60G21B | YGW15N120T3 | XP035PJE120AT1B2 | SGP15N60RUF | SII150N12 | STGWT40H65DFB | XD050H065CX1S3

 

 

 

 

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