TT015N120EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: TT015N120EQ
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 78 pF
Тип корпуса: TO-247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
TT015N120EQ Datasheet (PDF)
tt015n120eq.pdf

N N-CHANNEL IGBT RTT015N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 15A IC 1200V VCES 1.60V VCESAT-TYP APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product
tt015n060eq.pdf

N N-CHANNEL IGBT R TT015N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Tec
Другие IGBT... JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , TT010N120EQ , TT015N060EQ , IRG4PC50U , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA , TT030U065FQ , TT040K120EQ .
History: IRG4PC30FPBF | FF200R12KT3 | APT150GT120JR | MMG300D170B | NGTB40N120FL2WG | IXYH20N65B3
History: IRG4PC30FPBF | FF200R12KT3 | APT150GT120JR | MMG300D170B | NGTB40N120FL2WG | IXYH20N65B3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet