Справочник IGBT. TT015N120EQ

 

TT015N120EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TT015N120EQ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 78 pF
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для TT015N120EQ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT015N120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1932K  jilin sino
 tt015n120eq.pdf pdf_icon

TT015N120EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT015N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 15A IC 1200V VCES 1.60V VCESAT-TYP APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product

 8.1. Size:1060K  jilin sino
 tt015n060eq.pdf pdf_icon

TT015N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT015N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Tec

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGH36N60B3D4 | DIM400GDM33-F | STGW20IH125DF | MMG75J120U6TC | MG1275S-BA1MM | MG200J2YS50 | TT010N120EQ

 

 
Back to Top

 


 
.