TT015N120EQ - аналоги и описание IGBT

 

TT015N120EQ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TT015N120EQ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 238 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 78 pF

Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TT015N120EQ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT015N120EQ даташит

 ..1. Size:1932K  jilin sino
 tt015n120eq.pdf pdf_icon

TT015N120EQ

 8.1. Size:1060K  jilin sino
 tt015n060eq.pdf pdf_icon

TT015N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT015N060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 600V Vcesat-typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters Motor Control FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Tec

Другие IGBT... JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , TT010N120EQ , TT015N060EQ , MGD623S , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA , TT030U065FQ , TT040K120EQ .

History: SRE50N065FSU | TA49014 | STGWA20M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.