TT025N120EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT025N120EQ
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 42 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 138 pF
Paquete / Cubierta: TO-247
- Selección de transistores por parámetros
TT025N120EQ Datasheet (PDF)
tt025n120eq.pdf

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History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1
History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1



Liste
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