TT025N120EQ Todos los transistores

 

TT025N120EQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT025N120EQ
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 42 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 138 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 239 nC
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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TT025N120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2026K  jilin sino
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TT025N120EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT025N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 25A IC 1200V VCE 1.50V VCESAT-typ APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product

 5.1. Size:1318K  jilin sino
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TT025N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT025N120FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 25 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS produ

 9.1. Size:1650K  jilin sino
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TT025N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT025U120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 25 A VCES 1200V Vcesat-typ 2.3V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

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History: VS-GB50TP120N | IXGH56N60B3D1 | IKA15N65ET6 | IXGH36N60B3

 

 
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