TT025N120EQ - аналоги и описание IGBT

 

TT025N120EQ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TT025N120EQ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 138 pF

Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TT025N120EQ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT025N120EQ даташит

 ..1. Size:2026K  jilin sino
 tt025n120eq.pdf pdf_icon

TT025N120EQ

 5.1. Size:1318K  jilin sino
 tt025n120fq.pdf pdf_icon

TT025N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT025N120FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 25 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS produ

 9.1. Size:1650K  jilin sino
 tt025u120eq.pdf pdf_icon

TT025N120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT025U120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 25 A VCES 1200V Vcesat-typ 2.3V Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

Другие IGBT... JT600N120F2MHTE , TP015N120CA , TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , TT010N120EQ , TT015N060EQ , TT015N120EQ , IRG4PC50UD , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA , TT030U065FQ , TT040K120EQ , TT040U060EQ .

History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602

 

 

 

 

↑ Back to Top
.