TT030N065EI IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TT030N065EI
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 71 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 67 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 160 pF
Encapsulados: TO-3PH
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TT030N065EI datasheet
tt030u065fba.pdf
N N-CHANNEL IGBT R TT030U065FBA MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector PFC FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS RoHS product
tt030k065eq.pdf
N N-CHANNEL IGBT R TT030K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 30 A IC 650V VCES 1.7V VCE SAT-TYP APPLICATIONS PFC Power factor corrector (PFC) UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS
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History: VS-GT75NP120N | VS-GB50NA120UX | SGU1N60XFD
History: VS-GT75NP120N | VS-GB50NA120UX | SGU1N60XFD
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