TT030N065EI - аналоги и описание IGBT

 

TT030N065EI - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TT030N065EI

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF

Тип корпуса: TO-3PH

 Аналог (замена) для TT030N065EI

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT030N065EI даташит

 ..1. Size:1641K  jilin sino
 tt030n065ei.pdf pdf_icon

TT030N065EI

 4.1. Size:1550K  jilin sino
 att030n065eq.pdf pdf_icon

TT030N065EI

 9.1. Size:1324K  jilin sino
 tt030u065fba.pdf pdf_icon

TT030N065EI

N N-CHANNEL IGBT R TT030U065FBA MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector PFC FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS RoHS product

 9.2. Size:1002K  jilin sino
 tt030k065eq.pdf pdf_icon

TT030N065EI

N N-CHANNEL IGBT R TT030K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 30 A IC 650V VCES 1.7V VCE SAT-TYP APPLICATIONS PFC Power factor corrector (PFC) UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TT010N120EI , TT010N120EQ , TT015N060EQ , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , FGH30S130P , TT030U065FBA , TT030U065FQ , TT040K120EQ , TT040U060EQ , TT040U065FB , TT040U120EQ , TT050K065FQ , TT050U065FB .

History: TGAN25N120FDR | VS-GB600AH120N | SII150N06 | NGTB45N60S2WG | SPT60N65F1A1 | VS-GB55NA120UX

 

 

 

 

↑ Back to Top
.