TT050K065FQ Todos los transistores

 

TT050K065FQ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TT050K065FQ
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 213 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 118 nC
   Paquete / Cubierta: TO-247-4L
 

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TT050K065FQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:601K  jilin sino
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TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT RTT050K065FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.55V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

 0.1. Size:1052K  jilin sino
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TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT RATT050K065FQC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.35V APPLICATIONS Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage Built in SiC SBD FEATURES Low gate

 9.1. Size:1109K  jilin sino
 tt050u065fbc.pdf pdf_icon

TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT RTT050U065FBC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.4V APPLICATIONS Charging pile Built in SiC SBD UPS UPS Solar converters Energy Storage FEATURES Low gate c

 9.2. Size:1230K  jilin sino
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TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT RTT050U065FB MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCE 650V VCEsat-TYP 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

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