TT050K065FQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TT050K065FQ  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 500 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 65 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 213 pF

Encapsulados: TO-247-4L

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TT050K065FQ datasheet

 ..1. Size:601K  jilin sino
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TT050K065FQ

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TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT050K065FQC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.35V APPLICATIONS Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage Built in SiC SBD FEATURES Low gate

 9.1. Size:1109K  jilin sino
 tt050u065fbc.pdf pdf_icon

TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT R TT050U065FBC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.4V APPLICATIONS Charging pile Built in SiC SBD UPS UPS Solar converters Energy Storage FEATURES Low gate c

 9.2. Size:1230K  jilin sino
 tt050u065fb.pdf pdf_icon

TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT R TT050U065FB MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCE 650V VCEsat-TYP 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

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