TT050K065FQ - аналоги и описание IGBT

 

TT050K065FQ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TT050K065FQ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 213 pF

Тип корпуса: TO-247-4L

 Аналог (замена) для TT050K065FQ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT050K065FQ даташит

 ..1. Size:601K  jilin sino
 tt050k065fq.pdf pdf_icon

TT050K065FQ

 0.1. Size:1052K  jilin sino
 att050k065fqc.pdf pdf_icon

TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT050K065FQC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.35V APPLICATIONS Charging pile UPS UPS Solar converters Energy Storage Built in SiC SBD FEATURES Low gate

 9.1. Size:1109K  jilin sino
 tt050u065fbc.pdf pdf_icon

TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT R TT050U065FBC MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCES 650V Vcesat-typ 1.4V APPLICATIONS Charging pile Built in SiC SBD UPS UPS Solar converters Energy Storage FEATURES Low gate c

 9.2. Size:1230K  jilin sino
 tt050u065fb.pdf pdf_icon

TT050K065FQ

N N-CHANNEL IGBT R TT050U065FB MAIN CHARACTERISTICS Package IC 50A VCE 650V VCEsat-TYP 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector (PFC) PFC Energy Storage FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA , TT030U065FQ , TT040K120EQ , TT040U060EQ , TT040U065FB , TT040U120EQ , GT60N321 , TT050U065FB , TT050U065FBC , TT060U060EQ , TT060U065FB , TT060U065FQ , TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.