BRG10N120D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRG10N120D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56.8 pF

Encapsulados: TO3P

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BRG10N120D datasheet

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BRG10N120D

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