BRG10N120D Todos los transistores

 

BRG10N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRG10N120D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 56.8 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 63.8 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRG10N120D Datasheet (PDF)

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 brg10n120d.pdf pdf_icon

BRG10N120D

BRG10N120D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features Built in fast recovery diode, High reliability and thermal stability parameters, Low switching loss, Lo

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