BRG10N120D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BRG10N120D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56.8 pF
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для BRG10N120D
BRG10N120D Datasheet (PDF)
brg10n120d.pdf

BRG10N120D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features Built in fast recovery diode, High reliability and thermal stability parameters, Low switching loss, Lo
Другие IGBT... TT060U060EQ , TT060U065FB , TT060U065FQ , TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , IRG4PC50W , BRG60N60D , BRGB6N65DP , BRGH15N120D , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , NCE100ED65VT4 .
History: AUIRGPS4067D1
History: AUIRGPS4067D1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21