Справочник IGBT. BRG10N120D

 

BRG10N120D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BRG10N120D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 56.8 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для BRG10N120D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BRG10N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  blue-rocket-elect
 brg10n120d.pdf pdf_icon

BRG10N120D

BRG10N120D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features Built in fast recovery diode, High reliability and thermal stability parameters, Low switching loss, Lo

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: NGB8245 | F3L400R07PE4_B26 | SKM400GA123D | IKW50N65F5A | F3L300R12ME4_B22 | MMG200DR060DE | STGP30H60DF

 

 
Back to Top

 


 
.