BRG60N60D Todos los transistores

 

BRG60N60D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRG60N60D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 310 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 135 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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BRG60N60D Datasheet (PDF)

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BRG60N60D

BRG60N60D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

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BRG60N60D

BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

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BRG60N60D

BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

Otros transistores... TT060U065FB , TT060U065FQ , TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , BRG10N120D , HGTG30N60A4 , BRGB6N65DP , BRGH15N120D , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , NCE100ED65VT4 , NCE100ED65VTP .

History: TA49016 | MIXA150Q1200VA | VS-GB50LA120UX | OST75N120HM2F | IXGN400N30A3 | IXGA15N120B2 | 1MBI600V-120-50

 

 
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