BRG60N60D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRG60N60D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 310
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 120
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 155
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 35
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 300
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 135
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de BRG60N60D - IGBT
BRG60N60D Datasheet (PDF)
brg60n60d.pdf
BRG60N60D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature
brg60n65d.pdf
BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature
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Liste
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