BRG60N60D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRG60N60D  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 310 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 155 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 300 pF

Encapsulados: TO3P

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BRG60N60D datasheet

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BRG60N60D

BRG60N60D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , , RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

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BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , , RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

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BRG60N60D

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