Справочник IGBT. BRG60N60D

 

BRG60N60D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BRG60N60D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 310
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 155
   Время нарастания типовое (tr), nS: 35
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 300
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 135
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для BRG60N60D

 

 

BRG60N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:768K  blue-rocket-elect
 brg60n60d.pdf

BRG60N60D BRG60N60D

BRG60N60D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

 7.1. Size:1988K  1
 brg60n65d.pdf

BRG60N60D BRG60N60D

BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

 7.2. Size:1988K  blue-rocket-elect
 brg60n65d.pdf

BRG60N60D BRG60N60D

BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

Другие IGBT... TT060U065FB , TT060U065FQ , TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , BRG10N120D , HGTG30N60A4 , BRGB6N65DP , BRGH15N120D , BRGH25N120D , , , , , .

 

 
Back to Top