BRG60N60D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BRG60N60D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 155 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BRG60N60D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BRG60N60D даташит

 ..1. Size:768K  blue-rocket-elect
 brg60n60d.pdf pdf_icon

BRG60N60D

BRG60N60D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , , RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

 7.1. Size:1988K  1
 brg60n65d.pdf pdf_icon

BRG60N60D

BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , , RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

 7.2. Size:1988K  blue-rocket-elect
 brg60n65d.pdf pdf_icon

BRG60N60D

BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , , RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

Другие IGBT... TT060U065FB, TT060U065FQ, TT075N065EQ, TT075N120EBC, TT075U065FBC, TT075U065FQB, TT100N120PF1E, BRG10N120D, GT30G122, BRGB6N65DP, BRGH15N120D, BRGH25N120D, NCE100ED65BT, NCE100ED65BT4, NCE100ED65VT, NCE100ED65VT4, NCE100ED65VTP