Справочник IGBT. BRG60N60D

 

BRG60N60D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BRG60N60D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 155 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для BRG60N60D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BRG60N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:768K  blue-rocket-elect
 brg60n60d.pdf pdf_icon

BRG60N60D

BRG60N60D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

 7.1. Size:1988K  1
 brg60n65d.pdf pdf_icon

BRG60N60D

BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

 7.2. Size:1988K  blue-rocket-elect
 brg60n65d.pdf pdf_icon

BRG60N60D

BRG60N65D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features , , ,RoHS Built in fast recovery diode, Saturation voltage positive temperature

Другие IGBT... TT060U065FB , TT060U065FQ , TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , BRG10N120D , HGTG30N60A4 , BRGB6N65DP , BRGH15N120D , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , NCE100ED65VT4 , NCE100ED65VTP .

History: IHW20N120R3

 

 
Back to Top

 


 
.