BRGB6N65DP Todos los transistores

BRGB6N65DP IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRGB6N65DP

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.73 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 21 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF

Encapsulados: TO252

- Selección ⓘ de transistores por parámetros