BRGB6N65DP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRGB6N65DP
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.73 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.3(typ) V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 21 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 10 nC
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de BRGB6N65DP IGBT
BRGB6N65DP Datasheet (PDF)
brgb6n65dp.pdf
BRGB6N65DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features di/dt V CE(SAT)
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: XNF6N60T | IXGF25N250 | MIXA150R1200VA | IQGB400N60I4 | AOK60B60D1 | IXSH30N60A | TGAN40N65F2DR
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Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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