BRGB6N65DP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRGB6N65DP
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 69 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.73 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 21 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de BRGB6N65DP IGBT
BRGB6N65DP Datasheet (PDF)
brgb6n65dp.pdf
BRGB6N65DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features di/dt V CE(SAT)
Otros transistores... TT060U065FQ , TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , BRG10N120D , BRG60N60D , FGPF4533 , BRGH15N120D , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , NCE100ED65VT4 , NCE100ED65VTP , NCE100ED65VTP4 .
History: AOK60B60D1 | MPBD6N65ESF | MMG75H120H6HN | IXGM25N100 | IXYP15N65C3D1
History: AOK60B60D1 | MPBD6N65ESF | MMG75H120H6HN | IXGM25N100 | IXYP15N65C3D1
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