BRGB6N65DP Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BRGB6N65DP
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.73 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.3(typ) V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 10 nC
Тип корпуса: TO252
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BRGB6N65DP Datasheet (PDF)
..1. Size:4006K blue-rocket-elect
brgb6n65dp.pdf
brgb6n65dp.pdf
BRGB6N65DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features di/dt V CE(SAT)
Другие IGBT... TT060U065FQ , TT075N065EQ , TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , BRG10N120D , BRG60N60D , IHW20N120R2 , BRGH15N120D , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , NCE100ED65VT4 , NCE100ED65VTP , NCE100ED65VTP4 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100