BRGB6N65DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BRGB6N65DP  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.73 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BRGB6N65DP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BRGB6N65DP даташит

 ..1. Size:4006K  blue-rocket-elect
 brgb6n65dp.pdf pdf_icon

BRGB6N65DP

Другие IGBT... TT060U065FQ, TT075N065EQ, TT075N120EBC, TT075U065FBC, TT075U065FQB, TT100N120PF1E, BRG10N120D, BRG60N60D, STGB10NB37LZ, BRGH15N120D, BRGH25N120D, NCE100ED65BT, NCE100ED65BT4, NCE100ED65VT, NCE100ED65VT4, NCE100ED65VTP, NCE100ED65VTP4