BRGB6N65DP - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

BRGB6N65DP - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: BRGB6N65DP
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 69
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 12
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.73
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.3(typ)
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 21
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 36
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 10
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для BRGB6N65DP