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BRGH25N120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRGH25N120D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 177 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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BRGH25N120D Datasheet (PDF)

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BRGH25N120D

BRGH25N120D Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-247 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-247 Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

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History: STGFW30V60DF | MIAA20WE600TMH | APT100GN60LDQ4G | MSG100T65HLC1 | TA49015 | BLG40T65FDK-F | BSM150GAR120DN2

 

 
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