BRGH25N120D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BRGH25N120D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BRGH25N120D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BRGH25N120D даташит

 ..1. Size:1057K  blue-rocket-elect
 brgh25n120d.pdf pdf_icon

BRGH25N120D

BRGH25N120D Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-247 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-247 Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

Другие IGBT... TT075N120EBC, TT075U065FBC, TT075U065FQB, TT100N120PF1E, BRG10N120D, BRG60N60D, BRGB6N65DP, BRGH15N120D, FGL60N100BNTD, NCE100ED65BT, NCE100ED65BT4, NCE100ED65VT, NCE100ED65VT4, NCE100ED65VTP, NCE100ED65VTP4, NCE100ED75VT, NCE100ED75VT4