Справочник IGBT. BRGH25N120D

 

BRGH25N120D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BRGH25N120D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 350
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 75
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 120
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 177
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для BRGH25N120D

 

 

BRGH25N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1057K  blue-rocket-elect
 brgh25n120d.pdf

BRGH25N120D BRGH25N120D

BRGH25N120D Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-247 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-247 Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

Другие IGBT... TT075N120EBC , TT075U065FBC , TT075U065FQB , TT100N120PF1E , BRG10N120D , BRG60N60D , BRGB6N65DP , BRGH15N120D , TGAN40N60FD , , , , , , , , .

 

 
Back to Top