Справочник IGBT. BRGH25N120D

 

BRGH25N120D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BRGH25N120D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 177 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для BRGH25N120D

 

 

BRGH25N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1057K  blue-rocket-elect
 brgh25n120d.pdf

BRGH25N120D BRGH25N120D

BRGH25N120D Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-247 Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-247 Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: FGH40N60SMDF

 

 
Back to Top