BLG10T65FUL-D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLG10T65FUL-D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.9 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 32 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 36 nC
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de BLG10T65FUL-D IGBT
BLG10T65FUL-D Datasheet (PDF)
blg10t65ful-d.pdf
BLG10T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG10T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . This is gsuitable device for PFC UPS and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 10 A
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Liste
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569