BLG10T65FUL-D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLG10T65FUL-D  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 32 pF

Encapsulados: TO-252

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BLG10T65FUL-D datasheet

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BLG10T65FUL-D

BLG10T65FUL IGBT 1 Description Step-Down Converter BLG10T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . This is g suitable device for PFC UPS and low V CE(sat) applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CES I 10 A

Otros transistores... NCE75TD120BTP, NCE75TD120BTP4, NCE75TD120VT, NCE75TD120WT, NCE75TD120WT4, NCE75TD120WW, NCE80TC65BT, NCE80TD65BT4, FGPF4533, BLG15T65FUA-A, BLG15T65FUA-B, BLG15T65FUA-P, BLG15T65FUL-B, BLG15T65FUL-P, BLG15T65FUL-A, BLG20T65FDLA-A, BLG20T65FDLA-P