BLG10T65FUL-D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLG10T65FUL-D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 32 pF
Paquete / Cubierta: TO-252
- Selección de transistores por parámetros
BLG10T65FUL-D Datasheet (PDF)
blg10t65ful-d.pdf
BLG10T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG10T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . This is gsuitable device for PFC UPS and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 10 A
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: VS-GB150TS60NPBF | GT25Q101 | NCE20TH60BP
History: VS-GB150TS60NPBF | GT25Q101 | NCE20TH60BP
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569