BLG10T65FUL-D Todos los transistores

 

BLG10T65FUL-D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLG10T65FUL-D
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 83 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.9 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 8 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 32 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 36 nC
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BLG10T65FUL-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  belling
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BLG10T65FUL-D

BLG10T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG10T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . This is gsuitable device for PFC UPS and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 10 A

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History: IXGK55N120A3H1 | IRG4BC20K-S | YGW15N120T3 | NGTB30N120IHRWG | IXGR120N60C2

 

 
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