Справочник IGBT. BLG10T65FUL-D

 

BLG10T65FUL-D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG10T65FUL-D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 83
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.4
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.9
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 8
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 32
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 36
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для BLG10T65FUL-D

 

 

BLG10T65FUL-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  belling
 blg10t65ful-d.pdf

BLG10T65FUL-D BLG10T65FUL-D

BLG10T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG10T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . This is gsuitable device for PFC UPS and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 10 A

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top