BLG10T65FUL-D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BLG10T65FUL-D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 32 pF
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BLG10T65FUL-D
BLG10T65FUL-D Datasheet (PDF)
blg10t65ful-d.pdf
BLG10T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG10T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . This is gsuitable device for PFC UPS and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 10 A
Другие IGBT... NCE75TD120BTP , NCE75TD120BTP4 , NCE75TD120VT , NCE75TD120WT , NCE75TD120WT4 , NCE75TD120WW , NCE80TC65BT , NCE80TD65BT4 , TGAN40N60FD , BLG15T65FUA-A , BLG15T65FUA-B , BLG15T65FUA-P , BLG15T65FUL-B , BLG15T65FUL-P , BLG15T65FUL-A , BLG20T65FDLA-A , BLG20T65FDLA-P .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2