BLG10T65FUL-D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BLG10T65FUL-D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 32 pF

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BLG10T65FUL-D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLG10T65FUL-D даташит

 ..1. Size:595K  belling
 blg10t65ful-d.pdf pdf_icon

BLG10T65FUL-D

BLG10T65FUL IGBT 1 Description Step-Down Converter BLG10T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . This is g suitable device for PFC UPS and low V CE(sat) applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CES I 10 A

Другие IGBT... NCE75TD120BTP, NCE75TD120BTP4, NCE75TD120VT, NCE75TD120WT, NCE75TD120WT4, NCE75TD120WW, NCE80TC65BT, NCE80TD65BT4, KGF75N65KDF, BLG15T65FUA-A, BLG15T65FUA-B, BLG15T65FUA-P, BLG15T65FUL-B, BLG15T65FUL-P, BLG15T65FUL-A, BLG20T65FDLA-A, BLG20T65FDLA-P