Справочник IGBT. BLG10T65FUL-D

 

BLG10T65FUL-D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG10T65FUL-D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.9 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 32 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 36 nC
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для BLG10T65FUL-D

 

 

BLG10T65FUL-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  belling
 blg10t65ful-d.pdf

BLG10T65FUL-D BLG10T65FUL-D

BLG10T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG10T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . This is gsuitable device for PFC UPS and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 10 A

Другие IGBT... NCE75TD120BTP , NCE75TD120BTP4 , NCE75TD120VT , NCE75TD120WT , NCE75TD120WT4 , NCE75TD120WW , NCE80TC65BT , NCE80TD65BT4 , TGAN40N60FD , BLG15T65FUA-A , BLG15T65FUA-B , BLG15T65FUA-P , BLG15T65FUL-B , BLG15T65FUL-P , BLG15T65FUL-A , BLG20T65FDLA-A , BLG20T65FDLA-P .

 

 
Back to Top