IXGP8N100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGP8N100  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 54 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 30 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 34 pF

Encapsulados: TO220

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IXGP8N100 datasheet

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IXGP8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

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IXGP8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

Otros transistores... IXGP12N60C, IXGP12N60CD1, IXGP15N100C, IXGP15N120B, IXGP20N100, IXGP20N60B, IXGP7N60B, IXGP7N60C, FGH40N60UFD, IXGR32N60C, IXGR32N60CD1, IXGR40N60BD1, IXGR60N60U1, IXGT15N120B, IXGT15N120BD1, IXGT15N120C, IXGT15N120CD1