IXGP8N100 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGP8N100
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 54
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1000
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 16
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 30
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 34
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 26.5
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IXGP8N100 - IGBT
IXGP8N100 Datasheet (PDF)
ixga8n100 ixgp8n100.pdf
IXGA 8N100VCES = 1000 VIGBTIXGP 8N100IC25 = 16 AVCE(sat) = 2.7 VPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C16 AIC90 TC = 90C8 AICM TC = 25C, 1 ms 32 ATO-263 AA (IXGA)SSOA VGE = 15 V,
ixgp8n100.pdf
IXGA 8N100VCES = 1000 VIGBTIXGP 8N100IC25 = 16 AVCE(sat) = 2.7 VPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C16 AIC90 TC = 90C8 AICM TC = 25C, 1 ms 32 ATO-263 AA (IXGA)SSOA VGE = 15 V,
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Liste
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