IXGP8N100 - аналоги и описание IGBT

 

IXGP8N100 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGP8N100

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP8N100

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGP8N100 даташит

 ..1. Size:554K  ixys
 ixga8n100 ixgp8n100.pdf pdf_icon

IXGP8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

 ..2. Size:552K  ixys
 ixgp8n100.pdf pdf_icon

IXGP8N100

IXGA 8N100 VCES = 1000 V IGBT IXGP 8N100 IC25 = 16 A VCE(sat) = 2.7 V Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C16 A IC90 TC = 90 C8 A ICM TC = 25 C, 1 ms 32 A TO-263 AA (IXGA) SSOA VGE = 15 V,

Другие IGBT... IXGP12N60C , IXGP12N60CD1 , IXGP15N100C , IXGP15N120B , IXGP20N100 , IXGP20N60B , IXGP7N60B , IXGP7N60C , FGH40N60UFD , IXGR32N60C , IXGR32N60CD1 , IXGR40N60BD1 , IXGR60N60U1 , IXGT15N120B , IXGT15N120BD1 , IXGT15N120C , IXGT15N120CD1 .

History: IXGT15N120C

 

 

 


 
↑ Back to Top
.