Справочник IGBT. IXGP8N100

 

IXGP8N100 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGP8N100
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP8N100

 

 

IXGP8N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  ixys
 ixga8n100 ixgp8n100.pdf

IXGP8N100 IXGP8N100

IXGA 8N100VCES = 1000 VIGBTIXGP 8N100IC25 = 16 AVCE(sat) = 2.7 VPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C16 AIC90 TC = 90C8 AICM TC = 25C, 1 ms 32 ATO-263 AA (IXGA)SSOA VGE = 15 V,

 ..2. Size:552K  ixys
 ixgp8n100.pdf

IXGP8N100 IXGP8N100

IXGA 8N100VCES = 1000 VIGBTIXGP 8N100IC25 = 16 AVCE(sat) = 2.7 VPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C16 AIC90 TC = 90C8 AICM TC = 25C, 1 ms 32 ATO-263 AA (IXGA)SSOA VGE = 15 V,

Другие IGBT... IXGP12N60C , IXGP12N60CD1 , IXGP15N100C , IXGP15N120B , IXGP20N100 , IXGP20N60B , IXGP7N60B , IXGP7N60C , GT30J124 , IXGR32N60C , IXGR32N60CD1 , IXGR40N60BD1 , IXGR60N60U1 , IXGT15N120B , IXGT15N120BD1 , IXGT15N120C , IXGT15N120CD1 .

 

 
Back to Top