RGT20TM65D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGT20TM65D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25 pF
Encapsulados: TO220F
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RGT20TM65D datasheet
rgt20tm65d.pdf
RGT20TM65D 650V 10A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-220NFM VCES 650V IC (100 C) 6A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 25W (1) (2)(3) lInner Circuit lFeatures (2) 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (1) Gate (2) Collector 2) Low Switching Loss *1 (3) Emitter (1) 3) Short Circuit Withstand Time 5 s *1 Built in FRD 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
Otros transistores... BLQG3040A-D , BLQG3040A-B , BLQG3040-D , BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , IRG4PC50U , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF .
History: AMPBZ50N65ED
History: AMPBZ50N65ED
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