RGT20TM65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RGT20TM65D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: 20TM65D
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 22 nC
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
RGT20TM65D Datasheet (PDF)
rgt20tm65d.pdf
RGT20TM65D650V 10A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-220NFMVCES650VIC (100C)6AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD25W(1) (2)(3)lInner CircuitlFeatures(2)1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(1) Gate(2) Collector2) Low Switching Loss *1(3) Emitter(1)3) Short Circuit Withstand Time 5s*1 Built in FRD4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IGW40N60H3 | MPBQ50N120B
History: IGW40N60H3 | MPBQ50N120B
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918