RGT20TM65D Todos los transistores

 

RGT20TM65D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RGT20TM65D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25 pF
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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RGT20TM65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  rohm
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RGT20TM65D

RGT20TM65D650V 10A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-220NFMVCES650VIC (100C)6AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD25W(1) (2)(3)lInner CircuitlFeatures(2)1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(1) Gate(2) Collector2) Low Switching Loss *1(3) Emitter(1)3) Short Circuit Withstand Time 5s*1 Built in FRD4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

Otros transistores... BLQG3040A-D , BLQG3040A-B , BLQG3040-D , BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , TGAN20N135FD , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF .

History: MPBC15N65EF | MPBP20N65EF | MPBQ50N120B | AMPBQ200N75GSFA | HGT1S2N120CNS | MPBW25N120BF | SKM100GAY173D

 

 
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