RGT20TM65D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: RGT20TM65D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для RGT20TM65D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT20TM65D даташит

 ..1. Size:1237K  rohm
 rgt20tm65d.pdf pdf_icon

RGT20TM65D

RGT20TM65D 650V 10A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-220NFM VCES 650V IC (100 C) 6A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 25W (1) (2)(3) lInner Circuit lFeatures (2) 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (1) Gate (2) Collector 2) Low Switching Loss *1 (3) Emitter (1) 3) Short Circuit Withstand Time 5 s *1 Built in FRD 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

Другие IGBT... BLQG3040A-D, BLQG3040A-B, BLQG3040-D, BLQG3040-B, BLQG50T65FCKA-F, BLQG50T65FDLA-F, BLQG50T65FDLA-K, BLQG50T65FDLA-W, FGH75T65UPD, AMPBQ200N75GSFA, AMPBW50N65E, AMPBZ50N65ED, MPBC40N65EH, MPBD6N65ESF, MPBC6N65ESF, MPBL75N120BF, MPBP10N65EF