Справочник IGBT. RGT20TM65D

 

RGT20TM65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT20TM65D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для RGT20TM65D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

RGT20TM65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  rohm
 rgt20tm65d.pdf pdf_icon

RGT20TM65D

RGT20TM65D650V 10A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-220NFMVCES650VIC (100C)6AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD25W(1) (2)(3)lInner CircuitlFeatures(2)1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(1) Gate(2) Collector2) Low Switching Loss *1(3) Emitter(1)3) Short Circuit Withstand Time 5s*1 Built in FRD4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

Другие IGBT... BLQG3040A-D , BLQG3040A-B , BLQG3040-D , BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , SGP30N60 , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF .

 

 
Back to Top

 


 
.