RGT20TM65D - аналоги и описание IGBT

 

RGT20TM65D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: RGT20TM65D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для RGT20TM65D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры RGT20TM65D

 ..1. Size:1237K  rohm
 rgt20tm65d.pdf pdf_icon

RGT20TM65D

RGT20TM65D 650V 10A Field Stop Trench IGBT Datasheet lOutline TO-220NFM VCES 650V IC (100 C) 6A VCE(sat) (Typ.) 1.65V PD 25W (1) (2)(3) lInner Circuit lFeatures (2) 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage (1) Gate (2) Collector 2) Low Switching Loss *1 (3) Emitter (1) 3) Short Circuit Withstand Time 5 s *1 Built in FRD 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

Другие IGBT... BLQG3040A-D , BLQG3040A-B , BLQG3040-D , BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , IRG4PC50U , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF .

 

 
Back to Top

 


 
.