Справочник IGBT. RGT20TM65D

 

RGT20TM65D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT20TM65D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 20TM65D
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 25
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 10
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 18
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 25
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 22
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для RGT20TM65D

 

 

RGT20TM65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  rohm
 rgt20tm65d.pdf

RGT20TM65D RGT20TM65D

RGT20TM65D650V 10A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-220NFMVCES650VIC (100C)6AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD25W(1) (2)(3)lInner CircuitlFeatures(2)1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(1) Gate(2) Collector2) Low Switching Loss *1(3) Emitter(1)3) Short Circuit Withstand Time 5s*1 Built in FRD4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top