Справочник IGBT. RGT20TM65D

 

RGT20TM65D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RGT20TM65D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 20TM65D
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 22 nC
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RGT20TM65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  rohm
 rgt20tm65d.pdf pdf_icon

RGT20TM65D

RGT20TM65D650V 10A Field Stop Trench IGBT DatasheetlOutline TO-220NFMVCES650VIC (100C)6AVCE(sat) (Typ.)1.65VPD25W(1) (2)(3)lInner CircuitlFeatures(2)1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage(1) Gate(2) Collector2) Low Switching Loss *1(3) Emitter(1)3) Short Circuit Withstand Time 5s*1 Built in FRD4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: MPBW15N120BF

 

 
Back to Top

 


 
.