AMPBQ200N75GSFA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMPBQ200N75GSFA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1071 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 750 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 109 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 608 pF
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de AMPBQ200N75GSFA IGBT
AMPBQ200N75GSFA Datasheet (PDF)
ampbq200n75gsfa.pdf
AMPBQ200N75GSFA750V 200A Trench and Field Stop IGBTPreliminary dataFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Motor drivespositive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsatfast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeAMPBQ200N75GS TO
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History: NGTB40N120FL2 | BLG60T65FDL-F
History: NGTB40N120FL2 | BLG60T65FDL-F
Liste
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