AMPBQ200N75GSFA IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMPBQ200N75GSFA
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1071 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 750 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 109 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 608 pF
Encapsulados: TO-247
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AMPBQ200N75GSFA datasheet
ampbq200n75gsfa.pdf
AMPBQ200N75GSFA 750V 200A Trench and Field Stop IGBT Preliminary data Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor drives positive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsat fast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code AMPBQ200N75GS TO
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