AMPBQ200N75GSFA Todos los transistores

 

AMPBQ200N75GSFA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMPBQ200N75GSFA
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1071 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 750 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 109 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 608 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247
     - Selección de transistores por parámetros

 

AMPBQ200N75GSFA Datasheet (PDF)

 0.1. Size:551K  cn marching-power
 ampbq200n75gsfa.pdf pdf_icon

AMPBQ200N75GSFA

AMPBQ200N75GSFA750V 200A Trench and Field Stop IGBTPreliminary dataFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Motor drivespositive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsatfast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeAMPBQ200N75GS TO

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MPGC50N65E | MSG75C65HHC0 | HGT1S2N120CNS | MPBW50N65EH | IXGH24N60B | IXGH24N50BU1 | MPBW30N65E

 

 
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