AMPBQ200N75GSFA - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AMPBQ200N75GSFA
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: AB200N75GSFA
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1071
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 750
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 109
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 608
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: TBD
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для AMPBQ200N75GSFA
AMPBQ200N75GSFA Datasheet (PDF)
ampbq200n75gsfa.pdf
AMPBQ200N75GSFA750V 200A Trench and Field Stop IGBTPreliminary dataFeatures Applications Easy parallel switching capability due to Motor drivespositive temperature coefficient in VCEsat Main inverter Low VCEsatfast switching PTC heater High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeAMPBQ200N75GS TO
Другие IGBT... BLQG3040A-B , BLQG3040-D , BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , IRG4PF50WD , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB