AMPBW50N65E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMPBW50N65E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: AMP50N65E
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 130 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 230 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de AMPBW50N65E - IGBT
AMPBW50N65E Datasheet (PDF)
ampbw50n65e.pdf
AMPBW50N65E650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Automotive AEC-Q101 qualified UPS Easy parallel switching capability due to PFCpositive temperature coefficient in VCEsat PTC Heater Low VCEsatfast switching Climate Compressor High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package
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Liste
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