Справочник IGBT. AMPBW50N65E

 

AMPBW50N65E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AMPBW50N65E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: AMP50N65E
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 62
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 230
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AMPBW50N65E

 

 

AMPBW50N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1012K  cn marching-power
 ampbw50n65e.pdf

AMPBW50N65E AMPBW50N65E

AMPBW50N65E650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Automotive AEC-Q101 qualified UPS Easy parallel switching capability due to PFCpositive temperature coefficient in VCEsat PTC Heater Low VCEsatfast switching Climate Compressor High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top