AMPBW50N65E - аналоги и описание IGBT

 

AMPBW50N65E - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AMPBW50N65E

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AMPBW50N65E

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AMPBW50N65E даташит

 ..1. Size:1012K  cn marching-power
 ampbw50n65e.pdf pdf_icon

AMPBW50N65E

AMPBW50N65E 650V-50A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Automotive AEC-Q101 qualified UPS Easy parallel switching capability due to PFC positive temperature coefficient in VCEsat PTC Heater Low VCEsat fast switching Climate Compressor High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package

Другие IGBT... BLQG3040-D , BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , GT30F131 , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF .

History: MPBC40N65EH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.