AMPBZ50N65ED Todos los transistores

 

AMPBZ50N65ED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMPBZ50N65ED
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 148 pF
   Paquete / Cubierta: TO-247-4
 

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AMPBZ50N65ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1073K  cn marching-power
 ampbz50n65ed.pdf pdf_icon

AMPBZ50N65ED

AMPBZ50N65ED650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeAMPBZ50N65ED AMP50N65ED TO-2

Otros transistores... BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , JT075N065WED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF .

History: RGT20TM65D | MPBQ50N120B | MPBC15N65EF | MPBP20N65EF | HGT1S2N120CNS | SKM100GAY173D | MPBW25N120BF

 

 
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