AMPBZ50N65ED - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AMPBZ50N65ED
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: AMP50N65ED
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 148 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 230 nC
Paquete / Cubierta: TO-247-4
Búsqueda de reemplazo de AMPBZ50N65ED - IGBT
AMPBZ50N65ED Datasheet (PDF)
ampbz50n65ed.pdf
AMPBZ50N65ED650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeAMPBZ50N65ED AMP50N65ED TO-2
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Liste
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