AMPBZ50N65ED - аналоги и описание IGBT

 

AMPBZ50N65ED - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: AMPBZ50N65ED

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 148 pF

Тип корпуса: TO-247-4

 Аналог (замена) для AMPBZ50N65ED

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AMPBZ50N65ED даташит

 ..1. Size:1073K  cn marching-power
 ampbz50n65ed.pdf pdf_icon

AMPBZ50N65ED

AMPBZ50N65ED 650V-50A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution Type Marking Package Code AMPBZ50N65ED AMP50N65ED TO-2

Другие IGBT... BLQG3040-B , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , IKW30N60H3 , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.