Справочник IGBT. AMPBZ50N65ED

 

AMPBZ50N65ED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AMPBZ50N65ED
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: AMP50N65ED
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 62
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 148
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 230
   Тип корпуса: TO-247-4

 Аналог (замена) для AMPBZ50N65ED

 

 

AMPBZ50N65ED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1073K  cn marching-power
 ampbz50n65ed.pdf

AMPBZ50N65ED AMPBZ50N65ED

AMPBZ50N65ED650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeAMPBZ50N65ED AMP50N65ED TO-2

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top