MPBC40N65EH Todos los transistores

 

MPBC40N65EH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPBC40N65EH
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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MPBC40N65EH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:890K  cn marching-power
 mpbc40n65eh.pdf pdf_icon

MPBC40N65EH

MPBC40N65EH650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionCType Marking Package CodeMPBC40N65EH MP40N65EH TO-2

Otros transistores... BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , TGD30N40P , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF .

History: MG75U12MRGJ | IRG4PH30KPBF | IRG7PG35U | IRG4PF50WPBF | BLG75T65FDK-F | APTGS10X120BTP2 | MPBL75N120BF

 

 
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