Справочник IGBT. MPBC40N65EH

 

MPBC40N65EH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBC40N65EH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для MPBC40N65EH

 

 

MPBC40N65EH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:890K  cn marching-power
 mpbc40n65eh.pdf

MPBC40N65EH MPBC40N65EH

MPBC40N65EH650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionCType Marking Package CodeMPBC40N65EH MP40N65EH TO-2

Другие IGBT... BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , TGPF30N43P , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF .

 

 
Back to Top