Справочник IGBT. MPBC40N65EH

 

MPBC40N65EH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBC40N65EH
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP40N65EH
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 250
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 55
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 120
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 110
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для MPBC40N65EH

 

 

MPBC40N65EH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:890K  cn marching-power
 mpbc40n65eh.pdf

MPBC40N65EH MPBC40N65EH

MPBC40N65EH650V-40A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionCType Marking Package CodeMPBC40N65EH MP40N65EH TO-2

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top