MPBC40N65EH - аналоги и описание IGBT

 

MPBC40N65EH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPBC40N65EH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF

Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для MPBC40N65EH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBC40N65EH даташит

 ..1. Size:890K  cn marching-power
 mpbc40n65eh.pdf pdf_icon

MPBC40N65EH

MPBC40N65EH 650V-40A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to UPS positive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsat fast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distribution C Type Marking Package Code MPBC40N65EH MP40N65EH TO-2

Другие IGBT... BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , CRG75T60AK3HD , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.