MPBD10N65EF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPBD10N65EF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: MP10N65EF
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 68 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 28 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 45 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 58 nC
Paquete / Cubierta: TO-252
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MPBD10N65EF Datasheet (PDF)
mpbp10n65ef mpba10n65ef mpbd10n65ef.pdf
MPBX10N65EF650V-10A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionGCE TO-220Type Marking Package CodeMPBP10N65EF MP10N65EF TO-220-3MPBA10N65EF MP10N65EF
Otros transistores... AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , TGAN40N60F2DS , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF .
Liste
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